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IC产品 MOSFET阵列 - 北京首天伟业科技有限公司

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低阈值电压, Vgs th P沟道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高电压, Vds P沟道

  • 60V
  • 30V

总功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

针脚配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

针脚数

  • 5
  • 6
  • 8

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

阈值电压, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

阈值电压, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封装类型

  • A
  • B

外宽

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部长度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
SANYO - MCH6646-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 2A MCPH6 SANYO - MCH6646-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 2A MCPH6
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:2A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电??, Rds(on):0.16ohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:0.8W
  • 封装类型:MCPH
  • 封装类型:MCPH6
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:2A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国31    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FW217-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 35V 6A SOT96 SANYO - FW217-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 35V 6A SOT96
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:35V
  • 开态电阻, Rds(on):0.044ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 功耗:1.8W
  • 封装类型:SOP
  • 封装类型:SOP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:35V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SI4532DY - 场效应管 MOSFET FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SI4532DY - 场效应管 MOSFET
  • 场效应管 MOSFET
    		•  无库存 1 2500 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI9933CDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双P沟道 20V 4A SO-8 VISHAY SILICONIX - SI9933CDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双P沟道 20V 4A SO-8
  • 场效应管 MOSFET 双P沟道 20V 4A SO-8
    		•  美国 0
    上海 0
    美国1758
    新加坡 0    		 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6036P - 场效应管 MOSFET 双P沟道 20V 5A 6SSOT FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6036P - 场效应管 MOSFET 双P沟道 20V 5A 6SSOT
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-5A
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):44mohm
  • 电压 @ Rds测量:-4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-700mV
  • 功耗:1.8W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SSOT
  • 封装类型:SSOT
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
  • 电压, Vds 典型值:-20V
  • 电压, Vgs 最高:-8V
  • 电流, Id 连续:-5A
    		• 上海 0
    美国 0
    新加坡62
    英国 0    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI4565ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8 VISHAY SILICONIX - SI4565ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8
  • 模块配置:NP
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:6.6A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.04ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.2V
  • 功耗:3.1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SO
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最低:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功耗, N沟道 1:1.1W
  • 功耗, P沟道 1:1.1W
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V
  • 最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V
  • 漏极连续电流, Id N沟道:5.2A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:4.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国314    		 1 1 询价,无需注册 订购
    INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8513PBF - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 8A/11A SO8 INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8513PBF - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 8A/11A SO8
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:8mA
  • 电压, Vds 最??:30V
  • 开态电阻, Rds(on):15.5mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
  • 功耗:2.4W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功率, Pd:2.4W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2.35V
    		• 上海 0
    新加坡46
    英国142    		 1 1 询价,无需注册 订购
    INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8313PBF.. - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 9.7A SO8 INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8313PBF.. - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 9.7A SO8
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:9.7A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):15.5mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
  • 功耗:2W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功率, Pd:2W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:9.7A
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2.35V
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI9926CDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双路 NN SO-8 VISHAY SILICONIX - SI9926CDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双路 NN SO-8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:Dual N
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:3.1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SO
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上升时间:10ns
  • 功率, Pd:3.1W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
    		• 上海65
    新加坡 0
    英国 0    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI4834DY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8 VISHAY SILICONIX - SI4834DY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8
  • 晶体管极性:N
  • 开态电阻, Rds(on):0.022ohm
  • 封装类型:SOIC
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上升时间:10ns
  • 功率, Pd:1.1W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:7.5A
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.8V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V
    		• 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI4565DY-T1-E3 - 双MOSFET N/P沟道 SO-8 VISHAY SILICONIX - SI4565DY-T1-E3 - 双MOSFET N/P沟道 SO-8
  • 晶体管极性:NP
  • 开态电阻, Rds(on):0.04ohm
  • 封装类型:SO
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最低:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功耗, N沟道 1:1.1W
  • 功耗, P沟道 1:1.1W
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V
  • 最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V
  • 漏极连续电流, Id N沟道:5.2A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:4.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm
    		• 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI4804BDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道 VISHAY SILICONIX - SI4804BDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道
  • 场效应管 MOSFET N沟道
    		•  无库存 1 2500 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI7904DN-T1-E3 - 场效应管 MOSFET VISHAY SILICONIX - SI7904DN-T1-E3 - 场效应管 MOSFET
  • 场效应管 MOSFET
    		•  无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG8850NZ - 晶体管对 MOSFET 双N沟道 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG8850NZ - 晶体管对 MOSFET 双N沟道
  • 晶体管对 MOSFET 双N沟道
    		•  无库存 1 3000 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG8842CZ - 互补晶体管对 MOSFET N+P沟道 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG8842CZ - 互补晶体管对 MOSFET N+P沟道
  • 互补晶体管对 MOSFET N+P沟道
    		•  无库存 1 3000 询价,无需注册 订购
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