VISHAY SILICONIX - SI4565ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4565ADY-T1-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国314
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
库存编号：
制造商编号：SI4565ADY-T1-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国314
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
描述信息：
- 模块配置:NP
- 晶体管极性:NP
- 漏极电流, Id 最大值:6.6A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):0.04ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.2V
- 功耗:3.1W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SO
- 封装类型:SO-8
- 晶体管类型:MOSFET
- 结温, Tj 最低:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 功耗, N沟道 1:1.1W
- 功耗, P沟道 1:1.1W
- 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V
- 最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V
- 最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V
- 漏极连续电流, Id N沟道:5.2A
- 漏极连续电流, Id P沟道:4.5A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm
产品属性：
重量（公斤）：0.0004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 模块配置:NP
- 晶体管极性:NP
- 漏极电流, Id 最大值:6.6A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):0.04ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.2V
- 功耗:3.1W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SO
- 封装类型:SO-8
- 晶体管类型:MOSFET
- 结温, Tj 最低:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 功耗, N沟道 1:1.1W
- 功耗, P沟道 1:1.1W
- 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V
- 最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V
- 最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V
- 漏极连续电流, Id N沟道:5.2A
- 漏极连续电流, Id P沟道:4.5A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm
