VISHAY SILICONIX - SI9926CDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双路 NN SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI9926CDY-T1-E3
库存状态：上海65, 新加坡 0 , 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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描述信息：
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 功耗:3.1W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SO
- 封装类型:SO-8
- 晶体管类型:MOSFET
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 上升时间:10ns
- 功率, Pd:3.1W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:8A
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.0004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 功耗:3.1W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SO
- 封装类型:SO-8
- 晶体管类型:MOSFET
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 上升时间:10ns
- 功率, Pd:3.1W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:8A
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
