 | VISHAY SILICONIX - SI4565DY-T1-E3 - 双MOSFET N/P沟道 SO-8 |
晶体管极性:NP
开态电阻, Rds(on):0.04ohm
封装类型:SO
封装类型:SO-8
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:150°C
表面安装器件:表面安装
功耗, N沟道 1:1.1W
功耗, P沟道 1:1.1W
最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V
最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V
最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V
漏极连续电流, Id N沟道:5.2A
漏极连续电流, Id P沟道:4.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm
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