 | VISHAY SILICONIX - SI4834DY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8 |
晶体管极性:N
开态电阻, Rds(on):0.022ohm
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
上升时间:10ns
功率, Pd:1.1W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:7.5A
阈值电压, Vgs th 最低:0.8V
阈值电压, Vgs th 最高:3V
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