SEMIKRON - SK10GH123 - 晶体管 IGBT模块 半桥 1200V
描述信息:
- 模块配置:Three Phase Inverter
- 晶体管极性:N Channel
- 集电极直流电流:16A
- 饱和电压, Vce sat 最大:3.2V
- 电压, Vceo:1200V
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:SEMITOP 2
- 外宽:40.5mm
- 外部深度:28mm
- 封装类型:SEMITOP 2
- 晶体管数:4
- 晶体管类型:IGBT Module
- 表面安装器件:螺丝安装
- SMD标号:SEMITOP2
- 上升时间:45ns
- 功率, Pd:1800W
- 安装孔中心距:38mm
- 安装孔直径:2mm
- 最大连续电流, Ic:16A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:1200V
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:32A
- 集电极电流, Ic 平均值:16A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:11A
产品属性:
重量(公斤):0.12
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 模块配置:Three Phase Inverter
- 晶体管极性:N Channel
- 集电极直流电流:16A
- 饱和电压, Vce sat 最大:3.2V
- 电压, Vceo:1200V
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:SEMITOP 2
- 外宽:40.5mm
- 外部深度:28mm
- 封装类型:SEMITOP 2
- 晶体管数:4
- 晶体管类型:IGBT Module
- 表面安装器件:螺丝安装
- SMD标号:SEMITOP2
- 上升时间:45ns
- 功率, Pd:1800W
- 安装孔中心距:38mm
- 安装孔直径:2mm
- 最大连续电流, Ic:16A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:1200V
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:32A
- 集电极电流, Ic 平均值:16A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:11A