 | SEMIKRON - SK10GH123 - 晶体管 IGBT模块 半桥 1200V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:16A
饱和电压, Vce sat 最大:3.2V
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:4
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:45ns
功率, Pd:1800W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:16A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:32A
集电极电流, Ic 平均值:16A
集电极连续电流, Ic 最大值:11A
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