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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
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FUJI ELECTRIC - 6MBP15RA-120-50 - 晶体管 IGBT模块 IPM 含6只 15A 1200V NPT |
模??配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:NPT
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:92W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-20°C to +100°C
封装类型:P617
外宽:64mm
外部深度:46mm
外部长度/高度:18mm
封装类型:P617
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT模块
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:1200ns
下降时间:3600ns
功率, Pd:92W
功耗:92W
最大连续电流, Ic:15A
温度 @ 电???测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:15A
电流, Icm 脉冲:30A
隔离电压:2500V
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停产 |
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1 |
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FUJI ELECTRIC - 6MBP15RH-060-50 - 晶体管 IGBT模块 IPM 含6只 15A 600V PT |
模块配??:Three Phase Inverter
晶体管极性:PT
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:40W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-20°C to +100°C
封装类型:P617
外宽:70mm
外部深度:46mm
外部长度/高度:16mm
封装类型:P617
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT模块
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:500ns
下降时间:3500ns
功率, Pd:40W
功耗:40W
最大连续电流, Ic:15A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:15A
电流, Icm 脉冲:30A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
1 |
1 |
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INFINEON - IKCS12F60AA - 智能IGBT模块 |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:NPN
集电极直流电流:12A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
最大功耗:35W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:MSIP-20
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:MSIP-20
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:通孔安装
功耗:35W
最大连续电流, Ic:12A
电压, Vces:600V
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停产 |
1 |
1 |
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INFINEON - BSM75GAR120DN2 - 晶体管 IGBT模块 斩波器 1200V |
模块配置:Single with Diode
晶体管极性:NPN
集电极直流电流:105A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
最大功耗:625W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:M34a
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:M34a
晶体管类型:IGBT Module
功率, Pd:625W
最大连续电流, Ic:75A
电压, Vces:1200V
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无库存 |
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1 |
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INFINEON - BSM50GB120DLC - 晶体管 IGBT双管模块 1200V |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:115A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:460W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Half Bridge 1
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Half Bridge 1
封装类型, 替代:M34a
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:0.05μs
下降时间:0.03μs
功率, Pd:460W
功耗:460W
最大连续电流, Ic:50A
温度 @ 电流测量:80°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:100A
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
1 |
1 |
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INFINEON - BSM50GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V |
模块配置:1 Pair Series Connection
集电极直流电流:78A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
最大功耗:400W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Half Bridge 1
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Half Bridge 1
封装类型, 替代:M34a
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:100ns
下降时间:100ns
功率, Pd:400W
功耗:400W
最大连续电流, Ic:50A
温度 @ 电流测量:80°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:100A
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上海 0
新加坡 0
英国10 |
1 |
1 |
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INFINEON - BSM100GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:150A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
最大功耗:680W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopack 3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopack 3
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:焊接型
功率, Pd:680W
功耗:680W
最大连续电流, Ic:100A
温度 @ 电流测量:80°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:200A
饱和电压 Vce sat 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国1 |
1 |
1 |
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INFINEON - BSM50GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:72A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
最大功耗:350W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopack 3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopack 3
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:焊接型
功率, Pd:350W
功耗:350W
最大连续电流, Ic:50A
???度 @ 电流测量:80°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:100A
饱和电压 Vce sat 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国15 |
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INFINEON - BSM25GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:35A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopack 2
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopack 2
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:焊接型
功率, Pd:200W
功耗:200W
最大连续电流, Ic:25A
???度 @ 电流测量:80°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:50A
饱和电压 Vce sat 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国12 |
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INFINEON - BSM10GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:3.2V
最大功耗:80W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopack 3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopack 3
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:焊接型
功率, Pd:80W
功耗:80W
最大连续电流, Ic:15A
??度 @ 电流测量:80°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:30A
饱和电压 Vce sat 典型值:2.7V
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上海 0
新加坡 0
英国20 |
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SEMIKRON - SKM 200 GB 128 D - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
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无库存 |
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1 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - CPV364M4FPBF - 绝缘金属物质功率模块 |
绝缘金属物质功率模块
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - FF300R12KE3 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V |
模块配置:1 Pair Series Connection
集电极直流电流:440A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
最大功耗:1.45kW
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopack 3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopack 3
封装类型, 替代:M62a
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:0.09μs
下降时间:0.13μs
功率, Pd:1450W
功耗:1450W
最大连续电流, Ic:300A
温度 @ 电流测量:80°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:600A
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上海 0
新加坡 0
英国1 |
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INFINEON - BSM200GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V |
模块配置:1 Pair Series Connection
集电极直流电流:290A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
最大功耗:1.4kW
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Half Bridge 2
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Half Bridge 2
封装类型, 替代:M62a
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:160ns
下降时间:120ns
功率, Pd:1400W
功耗:1400W
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:80°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:400A
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无库存 |
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INFINEON - BSM200GB120DLC - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3 |
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
电压, Vceo:1200V
封装类型:Econopack 3
封装类型:Econopack 3
封装类型, 替代:M62a
晶体管类型:IGBT + freewheel diode
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:0.05μs
下降时间:0.04μs
功率, Pd:1300W
功耗:1.3kW
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:80°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:400A
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无库存 |
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