FUJI ELECTRIC - 2MBI200U4B-120-50 - 晶体管模块 双IGBT 200A 1200V 沟槽式
制造商：FUJI ELECTRIC
库存编号：
制造商编号：2MBI200U4B-120-50
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国4
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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制造商编号：2MBI200U4B-120-50
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价格：
描述信息：
- 模块配置:1 Pair Series Connection
- 晶体管极性:Trench
- 集电极直流电流:300A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.25V
- 最大功耗:1.04kW
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:M233
- 外宽:92mm
- 外部深度:45mm
- 外部长度/高度:30mm
- 封装类型:M233
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT Module
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:螺丝安装
- 上升时间:320ns
- 下降时间:410ns
- 功率, Pd:1040W
- 功耗:1040W
- 最大连续电流, Ic:300A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Ic @ Vce饱和:200A
- 电流, Icm 脉冲:600A
- 隔离电压:2500V
产品属性：
重量（公斤）：0.25
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 模块配置:1 Pair Series Connection
- 晶体管极性:Trench
- 集电极直流电流:300A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.25V
- 最大功耗:1.04kW
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:M233
- 外宽:92mm
- 外部深度:45mm
- 外部长度/高度:30mm
- 封装类型:M233
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT Module
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:螺丝安装
- 上升时间:320ns
- 下降时间:410ns
- 功率, Pd:1040W
- 功耗:1040W
- 最大连续电流, Ic:300A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Ic @ Vce饱和:200A
- 电流, Icm 脉冲:600A
- 隔离电压:2500V
