| FUJI ELECTRIC - 2MBI200U4B-120-50 - 晶体管模块 双IGBT 200A 1200V 沟槽式 |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:Trench
集电极直流电流:300A
饱和电压, Vce sat 最大:2.25V
最大功耗:1.04kW
电压, Vceo:1200V
封装类型:M233
外宽:92mm
外部深度:45mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M233
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:320ns
下降时间:410ns
功率, Pd:1040W
功耗:1040W
最大连续电流, Ic:300A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:200A
电流, Icm 脉冲:600A
隔离电压:2500V
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