FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G75US60 - 晶体管 IGBT模块 75A 600V
描述信息:
- 模块配置:1 Pair Series Connection
- 晶体管极性:NPN
- 集电极直流电流:75A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
- 最大功耗:310W
- 电压, Vceo:600V
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:7PM-GA
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 外部深度:93mm
- 封装类型:7PM-GA
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT Module
- 表面安装器件:螺丝安装
- 针脚配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 上升时间:40ns
- 功率, Pd:310W
- 功???:310W
- 安装孔中心距:80mm
- 安装孔直径:5.4mm
- 最大连续电流, Ic:75A
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:150A
产品属性:
重量(公斤):0.19
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 模块配置:1 Pair Series Connection
- 晶体管极性:NPN
- 集电极直流电流:75A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
- 最大功耗:310W
- 电压, Vceo:600V
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:7PM-GA
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 外部深度:93mm
- 封装类型:7PM-GA
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT Module
- 表面安装器件:螺丝安装
- 针脚配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 上升时间:40ns
- 功率, Pd:310W
- 功???:310W
- 安装孔中心距:80mm
- 安装孔直径:5.4mm
- 最大连续电流, Ic:75A
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:150A