SEMELAB - BUZ905D - 场效应管 MOSFET P TO-3

描述信息:
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:-16A
- 电压, Vds 最大:160V
- 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
- 电压, Vgs 最高:-14V
- 功耗:250W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:250W
- 器件标记:BUZ905D
- 封装类型:TO-3
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 典型值:-160V
- 电流, Id 连续:16A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
产品属性:
重量(公斤):0.0115
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:-16A
- 电压, Vds 最大:160V
- 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
- 电压, Vgs 最高:-14V
- 功耗:250W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:250W
- 器件标记:BUZ905D
- 封装类型:TO-3
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 典型值:-160V
- 电流, Id 连续:16A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V