 | FUJI ELECTRIC - 2SK3586-01 - 场效应管 MOSFET N TO-220AB |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:50A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.025ohm
??压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:270W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:270W
单脉冲雪崩能量 Eas:319.2mJ
封装类型:TO-220AB
引脚节距:5.45mm
总功率, Ptot:270W
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:73A
电流, Idm 脉冲:292A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
| 上海 0 新加坡 0 英国12 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SEMELAB - BUZ905D - 场效应管 MOSFET P TO-3 |
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:-16A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压, Vgs 最高:-14V
功耗:250W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:250W
器件标记:BUZ905D
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:-160V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
| 上海 0 新加坡 0 英国3 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
