SANYO - ATP207-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 65A ATPAK
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:65A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):9.1mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:50W
- 封装类型:ATPAK
- 封装类型:ATPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:65A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
产品属性:
重量(公斤):0.00027
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:65A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):9.1mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:50W
- 封装类型:ATPAK
- 封装类型:ATPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:65A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V