 | SANYO - ATP207-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 65A ATPAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:65A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):9.1mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:50W
封装类型:ATPAK
封装类型:ATPAK
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:65A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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