TEXAS INSTRUMENTS - CSD23201W10 - 场效应管 单N沟道 12V 4DSBGA
制造商：TEXAS INSTRUMENTS
库存编号：
制造商编号：CSD23201W10
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-2.2A
- 电压, Vds 最大:-12V
- 开态电阻, Rds(on):65mohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-6V
- 功耗:1W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:DSBGA
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:DSBGA
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:12V
- 电流, Id 连续:1.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.6V
产品属性：
重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-2.2A
- 电压, Vds 最大:-12V
- 开态电阻, Rds(on):65mohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-6V
- 功耗:1W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:DSBGA
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:DSBGA
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:12V
- 电流, Id 连续:1.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.6V
