| TEXAS INSTRUMENTS - CSD23201W10 - 场效应管 单N沟道 12V 4DSBGA |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.2A
电压, Vds 最大:-12V
开态电阻, Rds(on):65mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-6V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DSBGA
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DSBGA
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:1.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.6V
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