INFINEON - BSM200GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V
制造商：INFINEON
库存编号：
制造商编号：BSM200GB120DN2
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
库存编号：
制造商编号：BSM200GB120DN2
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
描述信息：
- 模块配置:1 Pair Series Connection
- 集电极直流电流:290A
- 饱和电压, Vce sat 最大:3V
- 最大功耗:1.4kW
- 电压, Vceo:1200V
- 工作温度范围:-40°C to +125°C
- 封装类型:Half Bridge 2
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 封装类型:Half Bridge 2
- 封装类型, 替代:M62a
- 晶体管类型:IGBT Module
- 表面安装器件:螺丝安装
- 上升时间:160ns
- 下降时间:120ns
- 功率, Pd:1400W
- 功耗:1400W
- 最大连续电流, Ic:200A
- 温度 @ 电流测量:80°C
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:400A
产品属性：
重量（公斤）：0.42
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 模块配置:1 Pair Series Connection
- 集电极直流电流:290A
- 饱和电压, Vce sat 最大:3V
- 最大功耗:1.4kW
- 电压, Vceo:1200V
- 工作温度范围:-40°C to +125°C
- 封装类型:Half Bridge 2
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 封装类型:Half Bridge 2
- 封装类型, 替代:M62a
- 晶体管类型:IGBT Module
- 表面安装器件:螺丝安装
- 上升时间:160ns
- 下降时间:120ns
- 功率, Pd:1400W
- 功耗:1400W
- 最大连续电流, Ic:200A
- 温度 @ 电流测量:80°C
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:400A
