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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
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- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- CPH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3.5A SOT346
- 2SK4065-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 75V 100A SOT404
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- CPH6311-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- 2SK4073LS - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 90A TO220F
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- 2SK3705 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 60A TO220F
- MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3
- MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F
- CPH3440-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7A SOT346
- VNP20N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220
- 2SK3703 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 30A TO220F
- VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
- ECH8654-TL-H - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 5A ECH8