STMICROELECTRONICS - VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：VNS1NV04D-E
库存状态：上海 0 , 新加坡82, 英国486
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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制造商编号：VNS1NV04D-E
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最小订单量：1
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价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):250mohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOIC
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:45V
- 电流, Id 连续:0.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.00195
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):250mohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOIC
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:45V
- 电流, Id 连续:0.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
