SANYO - SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:1.5A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):215mohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:800mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SCH6
- 针脚数:6
- 封装类型:SCH6
- 晶体管类型:Switching
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:1.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
产品属性:
重量(公斤):0
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:1.5A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):215mohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:800mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SCH6
- 针脚数:6
- 封装类型:SCH6
- 晶体管类型:Switching
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:1.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V