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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- 2SK4063LS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 16A TO220F
- VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
- MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
- SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
- MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
- MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- CPH3440-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7A SOT346
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- EC4407KF-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 1.3A ECSP1208
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220
- 2SK2624ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 3.5A TO220F
- 2SK3708 - 场效应管 MOSFET N沟道 10V 30A TO220F
- MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC