SANYO - MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
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描述信息:
- 晶体管极性:Dual P Channel
- 漏极电流, Id 最大值:0.2A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):10400mohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
- 功耗:800mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-88
- 针脚数:6
- 封装类型:SC-88
- 晶体管类型:Switching
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电压, Vgs 最高:10V
- 电流, Id 连续:0.05A
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:Dual P Channel
- 漏极电流, Id 最大值:0.2A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):10400mohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
- 功耗:800mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-88
- 针脚数:6
- 封装类型:SC-88
- 晶体管类型:Switching
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电压, Vgs 最高:10V
- 电流, Id 连续:0.05A