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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK
- SCH1402-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 3A SCH6
- 2SK2617ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 5A TO220F
- 1SV298H-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT346
- VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220
- 1SV249-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F
- VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346
- CPH3348-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A SOT346
- 2SK4065-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 75V 100A SOT404
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- CPH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3.5A SOT346
- ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8
- STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管
- FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
- 1SV294-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8