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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- 2SK4073LS - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 90A TO220F
- 2SK3704 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 45A TO220F
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- CPH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3.5A SOT346
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- 2SK2618ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 6.5A TO220F
- 1SV316-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- CPH3348-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A SOT346
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- 2SK2625ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 5A TO220F
- 2SK3703 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 30A TO220F
- MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
- MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
- MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- 2SK4065-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 75V 100A SOT404
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
- 1SV298H-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT346
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F