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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP


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分立器件
- 2SK2618ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 6.5A TO220F
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
- 2SK3704 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 45A TO220F
- SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
- VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
- MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6
- 1SV298H-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT346
- 2SK3706 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 12A TO220F
- 2SK3707 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 20A TO220F
- VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- SCH1402-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 3A SCH6
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- 1SV264-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- 2SK2625ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 5A TO220F
- 1SV315-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F