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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP


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分立器件
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- FW342-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 30V SOT96
- 2SK3708 - 场效应管 MOSFET N沟道 10V 30A TO220F
- 1SV250-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管
- 1SV294-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- 2SK3704 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 45A TO220F
- 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F
- 2SK2617ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 5A TO220F
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- CPH6311-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
- VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
- VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220
- ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8
- FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
- 1SV315-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
- SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC
- MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
- ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346