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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- 2SK3707 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 20A TO220F
- SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC
- 2SK3705 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 60A TO220F
- MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3
- 1SV298H-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT346
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220
- CPH6311-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
- 1SV315-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- CPH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3.5A SOT346
- CPH3430-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220
- MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6