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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- 2SK4043LS - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 20A TO220F
- VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
- 1SV298H-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT346
- 2SK2632LS - 场效应管 MOSFET N沟道 800V 2.5A TO220F
- 2SK4073LS - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 90A TO220F
- VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
- MCH3374-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A MCPH3
- MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
- STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
- MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
- SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- 2SK3705 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 60A TO220F
- ECH8654-TL-H - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 5A ECH8
- ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8
- 1SV267-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
- VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220
- VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220
- MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
- STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP
- CPH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3.5A SOT346
- MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6