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- MSP430F5435IPN - 芯片 微控制器 16位 192K闪存 80LQFP
- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
- 2SK3704 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 45A TO220F
- 2SK4043LS - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 20A TO220F
- CPH6434-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A SOT346
- MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
- 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F
- 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F
- STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK
- MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
- ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
- FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
- VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- EC4407KF-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 1.3A ECSP1208
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243
- 2SK2618ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 6.5A TO220F
- STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP
- STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
- 1SV249-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- 2SK3707 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 20A TO220F
- FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
- CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346
- FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
- VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8