CLARE - CPC5602C - 场效应管 MOSFET N沟道

描述信息:
- 晶体管极性:N-Channel
- 漏极电流, Id 最大值:130mA
- 电压, Vds 最大:350V
- 开态电阻, Rds(on):8ohm
- 电压 @ Rds测量:-350mV
- 电压, Vgs 最高:-2V
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-40°C to +85°C
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-0.35V
- 电压, Vds 典型值:350V
- 电流, Id 连续:5mA
- 表面安装器件:表面安装
产品属性:
重量(公斤):0.01
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N-Channel
- 漏极电流, Id 最大值:130mA
- 电压, Vds 最大:350V
- 开态电阻, Rds(on):8ohm
- 电压 @ Rds测量:-350mV
- 电压, Vgs 最高:-2V
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-40°C to +85°C
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-0.35V
- 电压, Vds 典型值:350V
- 电流, Id 连续:5mA
- 表面安装器件:表面安装