NXP - BLF175 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：BLF175
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国30
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
库存编号：
制造商编号：BLF175
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国30
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:125V
- 电流, Id 连续:4A
- 最大功耗:68W
- 封装类型:SOT-123
- 截止频率 ft, 典型值:32MHz
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N
- 热阻, 结至外壳 A:2.6°C/W
- 针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
- 功率, Pd:68W
- 器件标号:1
- 封装类型:SOT-123
- 应用代码:RFPOWMOS
- 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:125V
- 电流, Idss 最大:0.1mA
- 通态电阻, Rds on 最大:1.5ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.01
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:125V
- 电流, Id 连续:4A
- 最大功耗:68W
- 封装类型:SOT-123
- 截止频率 ft, 典型值:32MHz
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N
- 热阻, 结至外壳 A:2.6°C/W
- 针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
- 功率, Pd:68W
- 器件标号:1
- 封装类型:SOT-123
- 应用代码:RFPOWMOS
- 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:125V
- 电流, Idss 最大:0.1mA
- 通态电阻, Rds on 最大:1.5ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
