DIODES INC. - BSP75G - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-223
![DIODES INC. - BSP75G - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-223](icimg/38/37621.jpg)
描述信息:
- 开态电阻, Rds(on):0.55ohm
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-40oC to +150oC
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOT-223
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:2.5W
- 外宽:6.5mm
- 外部深度:7mm
- 外部长度/高度:1.6mm
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极电流, Id 最大值:1.6A
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电压, Vds 最大:60V
- 电流, Id 连续:1.4A
- 电源电压:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V
产品属性:
重量(公斤):0.111
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 开态电阻, Rds(on):0.55ohm
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-40oC to +150oC
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOT-223
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:2.5W
- 外宽:6.5mm
- 外部深度:7mm
- 外部长度/高度:1.6mm
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极电流, Id 最大值:1.6A
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电压, Vds 最大:60V
- 电流, Id 连续:1.4A
- 电源电压:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V