SEMIKRON - SKHI22AR - 驱动模块 MOSFET/IGBT
描述信息:
- 驱动芯片类型:IGBT
- 输出电流 峰值:8A
- 输出阻值:3ohm
- 电源电压范围:14.4V to 15.6V
- 封装类型:Rectangular
- 针脚数:34
- 工作温度范围:-40°C to +85°C
- 封装类型:Rectangular
- 工作温度最低:-40°C
- 工作温度最高:85°C
- 电源电压 最大:15.6V
- 电源电压 最小:14.4V
- 输入/输出延迟:1μs
- 输出数:2
- 输出电流:8A
- 输出电流 + 最大:8A
- 最大电流 @ 高电平输入:0.29mA
- 最高频率:100kHz
- 死时, 典型值:4.3μs
- 电压变化率 dv/dt:50kV/μs
- 电源电压:18V
- 隔离电压:2500kV
- 集电极-发射极最高电压 IGBT:1700V
- 高输入信号电压, 最大值:18.3V
产品属性:
重量(公斤):0.045
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 驱动芯片类型:IGBT
- 输出电流 峰值:8A
- 输出阻值:3ohm
- 电源电压范围:14.4V to 15.6V
- 封装类型:Rectangular
- 针脚数:34
- 工作温度范围:-40°C to +85°C
- 封装类型:Rectangular
- 工作温度最低:-40°C
- 工作温度最高:85°C
- 电源电压 最大:15.6V
- 电源电压 最小:14.4V
- 输入/输出延迟:1μs
- 输出数:2
- 输出电流:8A
- 输出电流 + 最大:8A
- 最大电流 @ 高电平输入:0.29mA
- 最高频率:100kHz
- 死时, 典型值:4.3μs
- 电压变化率 dv/dt:50kV/μs
- 电源电压:18V
- 隔离电压:2500kV
- 集电极-发射极最高电压 IGBT:1700V
- 高输入信号电压, 最大值:18.3V