TOSHIBA - 2SK3561 - 场效应管 MOSFET N 500V TO-220SIS
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描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.85ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:40W
- 封装类型:TO-220SIS
- 功率, Pd:40W
- 封装类型:TO-220SIS
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:8A
- 电流, Idm 脉冲:32A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性:
重量(公斤):0.0017
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.85ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:40W
- 封装类型:TO-220SIS
- 功率, Pd:40W
- 封装类型:TO-220SIS
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:8A
- 电流, Idm 脉冲:32A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V