TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2301CX - 场效应管 MOSFET P 20V SOT-23
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制造商:TAIWAN SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:TSM2301CX
库存状态:上海285, 新加坡 0 , 英国1225
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格:特价出售
价格:
库存编号:
制造商编号:TSM2301CX
库存状态:上海285, 新加坡 0 , 英国1225
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
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价格:
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描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-2.3A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.065ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-8V
- 功耗:1.25W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOT-23
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.25W
- 封装类型:SOT-23
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:2.3A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.122ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.095ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.45V
- 阈值电压, Vgs th 最低:-0.45V
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-2.3A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.065ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-8V
- 功耗:1.25W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOT-23
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.25W
- 封装类型:SOT-23
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:2.3A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.122ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.095ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.45V
- 阈值电压, Vgs th 最低:-0.45V