ZETEX - ZXMN4A06K - 场效应管 MOSFET N D-PAK
制造商：ZETEX
库存编号：
制造商编号：ZXMN4A06K
库存状态：上海 0 , 新加坡6, 英国63
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:10.9A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):0.05ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs ??高:20V
- 功耗:9.5W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:ZXMN 4A06
- 上升时间:3.8ns
- 下降时间:10.9ns
- 功率, Pd 50mm2 PCB:4.2W
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:TO-252
- 应用代码:GPSW
- 时间, trr 典型值:16ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:7.2A
- 电流, Idm 脉冲:35.3A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.05ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
产品属性：
重量（公斤）：0.306
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:10.9A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):0.05ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs ??高:20V
- 功耗:9.5W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:ZXMN 4A06
- 上升时间:3.8ns
- 下降时间:10.9ns
- 功率, Pd 50mm2 PCB:4.2W
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:TO-252
- 应用代码:GPSW
- 时间, trr 典型值:16ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:7.2A
- 电流, Idm 脉冲:35.3A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.05ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
