TOSHIBA - 2SK1120(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P
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描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):1.8ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- ??压, Vgs 最高:20V
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- 功率, Pd:150W
- 封装类型:TO-3P
- 引脚节距:5.45mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电流, Id 连续:8A
- 电流, Idm 脉冲:24A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
产品属性:
重量(公斤):0.006
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):1.8ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- ??压, Vgs 最高:20V
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- 功率, Pd:150W
- 封装类型:TO-3P
- 引脚节距:5.45mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电流, Id 连续:8A
- 电流, Idm 脉冲:24A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V