SEMELAB - BFD82 - 场效应管 MOSFET N TO-3
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描述信息:
- 晶体管极性:N 通道
- 漏极电流, Id 最大值:14.5A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.4ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:198W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:198W
- 安装孔中心距:30mm
- 封装类型:TO-3
- 封装类型, 替代:TO-204AA
- 引脚节距:11mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:14.5A
- 电流, Idm 脉冲:58A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性:
重量(公斤):0.0115
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N 通道
- 漏极电流, Id 最大值:14.5A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.4ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:198W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:198W
- 安装孔中心距:30mm
- 封装类型:TO-3
- 封装类型, 替代:TO-204AA
- 引脚节距:11mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:14.5A
- 电流, Idm 脉冲:58A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V