TOSHIBA - TK20A60T(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO220
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：TK20A60T(Q)
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国33
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
库存编号：
制造商编号：TK20A60T(Q)
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国33
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:20A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):0.190ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:45W
- 封装类型:TO-220SIS
- 封装类型:TO-220SIS
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:20A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:20A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):0.190ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:45W
- 封装类型:TO-220SIS
- 封装类型:TO-220SIS
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:20A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
