TOSHIBA - 2SK4103(TE16L1NQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 500V DPAK
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：2SK4103(TE16L1NQ)
库存状态：上海 0 , 新加坡100, 英国698
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
库存编号：
制造商编号：2SK4103(TE16L1NQ)
库存状态：上海 0 , 新加坡100, 英国698
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:5A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:40W
- 封装类型:DPAK
- 封装类型:PW-MOLD
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:5A
- 表面安装器件:表面安装
产品属性：
重量（公斤）：0.00143
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:5A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:40W
- 封装类型:DPAK
- 封装类型:PW-MOLD
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:5A
- 表面安装器件:表面安装
