TOSHIBA - 2SK4003(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 3A 600V TO251AA
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：2SK4003(Q)
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1035
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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制造商编号：2SK4003(Q)
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多重订单量：1
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描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:3A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):2.2ohm
- ??压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:20W
- 封装类型:TO251AA
- 封装类型:PW-MOLD2
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:3A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:3A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):2.2ohm
- ??压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:20W
- 封装类型:TO251AA
- 封装类型:PW-MOLD2
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:3A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
