SANYO - MCH6602-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 0.35A MCPH6

描述信息:
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:350mA
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):3.7ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
- 功耗:800mW
- 封装类型:MCPH
- 封装类型:MCPH6
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.35A
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:350mA
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):3.7ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
- 功耗:800mW
- 封装类型:MCPH
- 封装类型:MCPH6
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.35A