SANYO - 3LP01M-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：3LP01M-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国100
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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制造商编号：3LP01M-TL-E
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描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-100mA
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开态电阻, Rds(on):10.4ohm
- 电压 @ Rds测??:-4V
- 电压, Vgs 最高:-10V
- 功耗:0.15W
- 封装类型:MCP
- 封装类型:MCP
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-100mA
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开态电阻, Rds(on):10.4ohm
- 电压 @ Rds测??:-4V
- 电压, Vgs 最高:-10V
- 功耗:0.15W
- 封装类型:MCP
- 封装类型:MCP
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
