SANYO - 3LN01S-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:150mA
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):3.7ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 电压, Vgs 最高:10V
- 功耗:0.15W
- 封装类型:SMCP
- 封装类型:SMCP
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.15A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
产品属性:
重量(公斤):0
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:150mA
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):3.7ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 电压, Vgs 最高:10V
- 功耗:0.15W
- 封装类型:SMCP
- 封装类型:SMCP
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.15A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V