SANYO - ECH8302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 7A ECH8
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-7A
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开态电阻, Rds(on):0.025ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:1.6W
- 封装类型:ECH8
- 封装类型:ECH8
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:7A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V
产品属性:
重量(公斤):0.00002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-7A
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开态电阻, Rds(on):0.025ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:1.6W
- 封装类型:ECH8
- 封装类型:ECH8
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:7A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V