SANYO - CPH3331-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 200V 0.4A CPH3
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：CPH3331-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国332
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
库存编号：
制造商编号：CPH3331-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国332
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-400mA
- 电压, Vds 最大:-200V
- 开态电阻, Rds(on):5ohm
- 电??? @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:1W
- 封装类型:CPH3
- 封装类型:CPH3
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:0.4A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-400mA
- 电压, Vds 最大:-200V
- 开态电阻, Rds(on):5ohm
- 电??? @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:1W
- 封装类型:CPH3
- 封装类型:CPH3
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:0.4A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
