SANYO - MCH3416-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 1.8A MCPH3
![SANYO - MCH3416-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 1.8A MCPH3](icimg/102/101979.jpg)
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:1.8A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.22ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:1W
- 封装类型:MCPH
- 封装类型:MCPH3
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:1.8A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:1.8A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.22ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:1W
- 封装类型:MCPH
- 封装类型:MCPH3
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:1.8A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V