INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6717MTR1PBF - 场效应管 MOSFET N沟道 25V 220A SMD
制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号:
制造商编号:IRF6717MTR1PBF
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国27
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格:特价出售
价格:
库存编号:
制造商编号:IRF6717MTR1PBF
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国27
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格:特价出售
价格:
描述信息:
- 晶体管极性:N Channel
- 漏极电流, Id 最大值:220A
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):1.25mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:96W
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:MX
- 功率, Pd:2.8W
- 封装类型:L6
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电流, Id 连续:38A
- 电流, Idm 脉冲:38A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1.35V
- 封装类型:MX
产品属性:
重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N Channel
- 漏极电流, Id 最大值:220A
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):1.25mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:96W
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:MX
- 功率, Pd:2.8W
- 封装类型:L6
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电流, Id 连续:38A
- 电流, Idm 脉冲:38A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1.35V
- 封装类型:MX