SHARP - PT100MF0MP1 - 光电晶体管 SMD
描述信息:
- 波长, 典型值:910nm
- 功耗:75mW
- 视角:30°
- 针脚数:2
- 上升时间:5μs
- 半角:15°
- 封装类型:SMD Compact Thin
- 工作温度最低:-30°C
- 工作温度最高:85°C
- 工作温度范围:-30°C to +85°C
- 晶体管类型:Phototransistor
- 标称灵敏度 @ mW/cm2:2mA@1mW/cm2
- 波长, 频谱响应峰值:910nm
- 电流, Ic 典型值:2mA
- 表面安装器件:表面安装
- 下降时间:6μs
- 功耗:75mW
- 存储温度, 最低:-40°C
- 存储温度, 最高:95°C
- 暗电流:100nA
- 波长峰值:910nm
- 电流, Ic 最大:3.45mA
- 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 波长, 典型值:910nm
- 功耗:75mW
- 视角:30°
- 针脚数:2
- 上升时间:5μs
- 半角:15°
- 封装类型:SMD Compact Thin
- 工作温度最低:-30°C
- 工作温度最高:85°C
- 工作温度范围:-30°C to +85°C
- 晶体管类型:Phototransistor
- 标称灵敏度 @ mW/cm2:2mA@1mW/cm2
- 波长, 频谱响应峰值:910nm
- 电流, Ic 典型值:2mA
- 表面安装器件:表面安装
- 下降时间:6μs
- 功耗:75mW
- 存储温度, 最低:-40°C
- 存储温度, 最高:95°C
- 暗电流:100nA
- 波长峰值:910nm
- 电流, Ic 最大:3.45mA
- 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V